激光劃線設(shè)備在鈣鈦礦電池中的主要用途
激光劃線設(shè)備在鈣鈦礦電池中的主要用途為p1p2p3劃線，其目的是為了分割電池區(qū)域，形成串聯(lián)電池，增大電壓，其中需要特別注意的是控制激光劃線的線寬，從而減少死區(qū)面積，增大電池有效使用面積，并在對(duì)下一層激光刻蝕的同時(shí)保證不傷及上一層級(jí)，這是由于通過(guò)激光劃線方式使P1和P3層串聯(lián)起來(lái)，如果在做P2層激光劃線過(guò)程中傷及P1層會(huì)影響其導(dǎo)電性及光電轉(zhuǎn)換效率。
P1層通常為透明導(dǎo)電氧化物如氧化鎳、ITO、FTO等材料，P2層為鈣鈦礦層，P3層通常為金屬電極，如金、銀、鋁、銅等材料，詳細(xì)的劃分一般為FTO導(dǎo)電玻璃、TiO2 致密層、TiO2 介孔層、鈣鈦礦層、HTM層、金屬電極。
P4激光清邊的意義是在制作鈣鈦礦電池過(guò)程中印刷或生長(zhǎng)方式涂布的各個(gè)層級(jí)存在誤差，尤其在邊緣區(qū)域的控制難以把控，需要利用激光刻蝕技術(shù)，在邊緣清理出1-10mm的區(qū)域，保證電池各個(gè)層級(jí)的一致性。
?P1激光刻蝕：在透明導(dǎo)電電極 TCO 沉積后，和電荷傳輸層沉積前，進(jìn)行激光刻蝕，以形成彼此獨(dú)立的條形導(dǎo)電電極；
?P2激光刻蝕：在第二電荷傳輸層沉積后，底電極沉積之前，進(jìn)行激光刻蝕，去除 HTL/鈣鈦礦層/ETL，留下TCO層，形成一個(gè)空縫。進(jìn)行底電極層沉積時(shí)金屬會(huì)填滿這個(gè)空縫，從而將一個(gè)電池的底電極與下一個(gè)電池的透明頂電極相連；
?P3 激光刻蝕：去除相鄰電池的底電極/HTL（空穴層）/鈣鈦礦層/ETL（電子 層），留下 TCO 層，從而實(shí)現(xiàn)分離效果；
?P4 清邊：去除薄膜的邊緣區(qū)域，利用激光劃線劃分出區(qū)域后進(jìn)行清除。
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