鈣鈦礦薄膜太陽能電池激光劃線死區(qū)如何減?。?/h2>
減小鈣鈦礦薄膜太陽能電池激光劃線死區(qū)的方法有：
- 在線實時動態(tài)跟蹤系統(tǒng)系有助于最大程度上降低P1與P2以及P2與P3之間的線間距，從而使死區(qū)最小。
- 通過在電池電荷傳輸層沉積致密氮化硅層，再通過特殊設(shè)計的激光刻線方式，然后在金屬電極沉積區(qū)延伸至第二刻線槽的底部，在第二刻線槽的側(cè)邊固定有氮化硅壁，可以實現(xiàn)用在P2刻線處的氮化硅阻隔間隙層來代替現(xiàn)有技術(shù)中的P3刻線，去除了現(xiàn)有技術(shù)中P2、P3刻線間的寬度以及P3刻線寬度，從而減少了電池由于激光刻線造成的死區(qū)面積，增加了電池的受光面積，提升了鈣鈦礦電池的光電轉(zhuǎn)換功率；同時刻劃氮化硅的阻隔層可以有效阻擋電池的金屬電極與鈣鈦礦層的直接接觸，避免了鈣鈦礦層中碘離子對金屬電極的腐蝕。
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