薄膜太陽(yáng)能電池未來(lái)能不能替代硅基太陽(yáng)能?
硅基太陽(yáng)電池一般包括晶體硅和薄膜硅兩類,晶體硅有單晶和多晶,薄膜硅起初有非晶硅,后來(lái)有微晶硅、納米硅、非晶硅鍺等薄膜類型,統(tǒng)稱硅基薄膜。而當(dāng)前成熟的薄膜電池包括硅基薄膜、CIGS和CdTe等,Ge基GaAs聚光薄膜電池也算其中一種。
晶體硅電池技術(shù)成熟,產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定,產(chǎn)量大,是光伏市場(chǎng)主要產(chǎn)品(90%以上),特點(diǎn)是效率較高,多晶電池>17%,單晶電池>18%,高效率單晶量產(chǎn)效率可以>20%。薄膜電池各有特點(diǎn):硅基薄膜單結(jié)效率低,但非晶硅有光致衰減,高穩(wěn)定效率有10%,目前通過(guò)和非晶硅鍺及微晶硅形成兩結(jié)或三結(jié)疊層電池提高效率,兩結(jié)高穩(wěn)定效率為12.4%,三結(jié)高穩(wěn)定效率為13.6%(United Solar,已經(jīng)關(guān)門),再往上提高目前遇到了瓶頸;CIGS效率發(fā)展快,目前高效率已經(jīng)達(dá)到21.7%(注意,多晶硅高才20.4%),但是其中使用到了金屬銦,銦是伴生礦,單位價(jià)格比金硅,同時(shí)CIGS是四元材料,對(duì)工藝技術(shù)要求高;CdTe電池技術(shù)稍微簡(jiǎn)單些,但是鎘Cd可是有毒的,對(duì)組件的安全性有要求。CdTe電池的高效率也達(dá)到21%了。上述三類薄膜電池涉及化學(xué)或物理沉積技術(shù),也就是CVD和PVD,真空過(guò)程使成本和能耗稍微高了一些。
目前,從實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)化效率和理論轉(zhuǎn)化效率來(lái)看,晶硅電池的轉(zhuǎn)化效率提升空間有限,綜合成本下行空間小,即使采用PERC技術(shù)提高晶硅電池轉(zhuǎn)化效率,但綜合成本反而更高,因此,五年后薄膜太陽(yáng)能電池有望趕超晶硅太陽(yáng)能電池。
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